SEMI E78 ELECTROSTATIC COMPATIBILITY - GUIDE TO ASSESS AND

CONTROL ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) AND ELECTROSTATIC ATTRACTION (ESA) FOR EQUIPMENT 静电放电以及静电吸收测试

在半导体产业中，大多数人对静电放电（ESD）这个名词并不陌生。“ESD损伤”、“静电保护”、“ESD击穿”等都经常提及到，大多数人知道的就是静电是一种破坏性模式。

而静电放电破坏的产生，多是由于人为因素所形成，但又很难避免。电子组件或系统在制造、生产、组装、测试、存放、搬运等的过程中，静电会累积在人体、仪器、储放设备等之中，甚至在电子组件本身也会累积静电，而人们在不知情的情况下，使这些物体相互接触，因而形了一放电路径，使得电子组件或系统遭到静电放电的肆虐。所以，常见的静电放电模式有“人体放电模式（HBM）”、“机器放电模式（MM）”、“充电器件放电模式（CDM）”三模式，下面我们对三种模式原理做简单介绍。

人体放电模式 (Human-Body Model, HBM)

人体放电模式(HBM)是指因人体在地上走动磨擦或其他因素在人体上已累积了静电，当此人去碰触到器件时，人体上的静电便会经由器件的pin脚而进入器件内，再经由器件放电到地去，如图所示。此放电的过程会在短到几百毫微秒(ns)的时间内产生数安培的瞬间放电电流，此电流会把IC内的组件给烧毁。

机器放电模式(Machine Model,MM):
机器放电模式(MM)是指机器(例如机械手臂、传送带)本身累积了静电，当此机器去碰触到 IC时，该静电便经由IC的pin放电。

组件充放电模式(Charged Device Model -CDM):
组件充放电模式是指元器件先因磨擦或其他因素而在器件内部累积了静电，但在静电累积的过程中元器件并未被损伤。当其pin脚去碰触到接地面时，元器件内部的静电便会经由pin脚自器件内部流出来，而造成了放电的现象。如下图：

半导体静电主要是以上三种模式，三种模式主要之间有何差异呢?我们作如下比较：

针对半导体晶圆，高精密的产品，静电要求更是高于一般产品。因此其制程工艺设备，也需要满足静电要求才能满足晶圆加工。

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